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pn结是什么：采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结（英语：PN junction）。
PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
杂质半导体：N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中。
由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。
P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候。
会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。
p型和n型半导体的区别是什么？
在本征半导体中掺入微量的五价元素，形成n型半导体。
1、本征半导体中掺入微量的五价元素，构成N型半导体。
每个杂质原子都能提供一个自由电子，使半导体中的自由电子数量大大增加，导电能力也大大加强。
2、N型半导体中的“多子”（自由电子）和“少子”（空穴）。
自由电子数远大于空穴数，这种半导体主要依靠自由电子导电，所以自由电子称为多数载流子，简称“多子”；空穴称为“少数载流子”，简称“少子”。掺入的杂质越多，多子的浓度就越高，N型半导体的导电性能也就越强，并且空穴数比未加杂质时少，因为大量电子容易和空穴复合。
3、N型半导体呈电中性。
杂质原子可以提供电子，称为施主电子。N型半导体中的正电荷量（正离子和本征激发的空穴）和负电荷量（杂质施放的电子和本征激发的电子所带）相等，所以N型半导体呈现电中性。正离子处在晶体结构中不能自由移动，因此不是载流子。
在杂质半导体中，多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度，掺入杂质越多，多子浓度越大，而少子由本征激发产生，其浓度主要取决于温度，温度越高，少子浓度越大。
1、形成原因不同
在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。
在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。
2、导电特性不同
P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。
N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。
3、定义不同
N型半导体，也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。?“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的?主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。
P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。
扩展资料：
在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体。由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管；
P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。
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